كربيد

• SiC is used in semiconductor electronics devices that operate at high temperatures or high voltages, or both.
  يتم استخدام كربيد السيليكون في الأجهزة الإلكترونية لأشباه الموصلات التي تعمل في درجات حرارة عالية أو الفولتية العالية، أو كليهما.
• Electronic applications of silicon carbide such as light-emitting diodes (LEDs) and detectors in early radios were first demonstrated around 1907.
  التطبيقات الإلكترونية من كربيد السيليكون مثل الثنائيات الباعثة للضوء (المصابيح) و والكواشف في أجهزة الراديو المبكرة في حوالي عام 1907.
• The carbides of silicon and boron are described as "covalent carbides", although virtually all compounds of carbon exhibit some covalent character.
  ووصف كربيد السليكون والبورون باسم "كربيد التساهمية"، على الرغم من أن تقريبا جميع المركبات من المعرض الكربون بعض الحرف التساهمية.
• The carbides of silicon and boron are described as "covalent carbides", although virtually all compounds of carbon exhibit some covalent character.
  ووصف كربيد السليكون والبورون باسم "كربيد التساهمية"، على الرغم من أن تقريبا جميع المركبات من المعرض الكربون بعض الحرف التساهمية.
• The carbides of silicon and boron are described as "covalent carbides", although virtually all compounds of carbon exhibit some covalent character.
  ووصف كربيد السليكون والبورون باسم "كربيد التساهمية"، على الرغم من أن تقريبا جميع المركبات من المعرض الكربون بعض الحرف التساهمية.
• Special hardened chains (made with tungsten carbide) are used for applications where soil is likely to contaminate the cut, such as for cutting through roots.
  تُستخدم سلاسل مقوية خاصة (مصنوعة من كربيد التنجستن) للتطبيقات حيث أن من المرجح أن التراب يلوث القطع، مثل قطع الجذور.
• The silica fume, which is a byproduct of producing silicon metal and ferrosilicon alloys, can also be converted to SiC by heating with graphite at 1,500 °C (2,730 °F).
  يمكن أيضًا تحويل غبار السيليكا، وهو منتج ثانوي لإنتاج السبائك المعدنية وسبائك الفيروسيليكون، إلى كربيد عن طريق التسخين باستخدام الجرافيت عند 1500 م (2،730 فْ).
• Pressures of about 28 GPa (equivalent to depths of 840 km), and temperatures above 2300 °C, can be attained using WC anvils and a lanthanum chromite furnace.
  ويمكن الحصول على ضغوط تبلغ حوالي 28 جيجا باسكال (أي ما يعادل أعماق تبلغ 840 كم)، ودرجات حرارة تتجاوز 2300 درجة مئوية، وذلك باستخدام سنادين كربيد التنجستن وفرن كروميت اللانثانوم.
• Silicon carbide and carbon (graphite) are two other refractory materials used in some very severe temperature conditions, but they cannot be used in contact with oxygen, as they would oxidize and burn.
  كربيد السيليكون والغرافيت أيضا من المواد المستخدمة في بعض ظروف درجة الحرارة الشديدة جدا، ولكن لا يمكن استخدامهما في وجود الأوكسجين، لأنهما سيتعرضان للأكسدة والحرق.